TJ Innovation

DAS의 Master Unit(MU)은 기지국과 물리적으로 밀접하게 설치되어야 하는 장비이기 때문에,
DAS 설치시에 기지국의 공간이 최적화 될 수 있도록 설계하여야 한다.

기지국과 DAS사이에 연결되어야 하는 RF 포트의 개수는 지원 가능한 carrier수 및 주파수
밴드의 갯수, MIMO구조에 따라 달라지게 되며, 5G를 지원하는 DAS장비일수록 포트 개수는
큰 폭으로 늘어나게 된다. 예시 그림의 Multi-band DAS에서는 4G 및 5G를 동시에 지원하며
총 14개의 RF포트를 지원하고 있다.

기지국의 출력은 1포트당 43dBm인데 반해 DAS입력포트는 0dBm부근에서 동작하기 때문에
고출력 감쇄기를 기지국 및 DAS사이에 추가 설치하여야 한다.
한편 기존 고출력 감쇄기의 경우는 고출력의 RF신호를 강제로 열로 소비하는 방식이었기 때문에
기껏 증폭한 RF신호전력을 활용하지 못하는 비효율성이 존재하였으며, 이와 동시에 발열 이슈를
해결하기 위해 기지국에 추가적인 냉각장치를 설치해야 하는 등 부작용이 있었다.

POI가 내장된 (Built-in POI) DAS 제품은 고출력용 감쇄기를 MU에 내장하여 기지국의 공간
활용성을 크게 향상시킨 제품이다. 그에 더해서 에너지 하베스팅 기술을 적용하여 고출력의 RF
신호를 DAS의 보조전력으로 활용 가능한 솔루션을 내장하였기 때문에, 장비 설치 및 운용시의
OPEX를 혁신적으로 줄여 줄 수 있는 제품이다.